918博天堂联合中山大学突破TCO薄膜技术瓶颈，临界成核战略实现高迁移率超薄透明导电氧化物薄膜生长
近日，918博天堂联合中山大学质料学院乐成攻克了透明导电氧化物（TCO）薄膜的技术瓶颈，立异性地提出“临界成核战略”，乐成制备出高电子迁移率的铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜。该研究结果已于近日以《Eliminating Mobility-Thickness Dependence in Transparent Conductive Oxide Layer Growth: A Critical Nucleation Strategy》为题宣布于国际顶级质料期刊《Advanced Materials》。这不可是一次基础研究的重大突破，更为全球光电工业开辟出一条降本增效的新赛道。
▲论文链接：https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202507648
凭据以往研究，透明导电氧化物（TCO）薄膜迁移率具有明显的厚度依赖性——随着厚度的减小而显著下降，这使得制备具有高迁移率的超薄TCO薄膜具有很大的挑战性。为突破这个技术瓶颈，918博天堂与中山大学质料学院建立课题组联合攻关，经过深入研究、验证和剖析，提出了一种“临界成核战略”，即通过控制薄膜生长的初始成核状态，获得与设定薄膜厚度相匹配的晶核巨细与密度，再结合后处理实现大晶粒贯串晶化，从而克服TCO薄膜的制备历程中对孵化层的依赖，告竣在厚度限制条件下大幅提升迁移率的效果�；诹俳绯珊苏铰�，研究团队乐成制备了30nm、20nm和10nm厚度的铈掺杂氧化铟（ICO）薄膜，其电子迁移率划分为127cm?V-1s-1、119cm?V-1s-1和108cm?V-1s-1，是接纳古板固相结晶法制备的同等厚度薄膜的两倍以上。
研究团队认为，形成一定命量和巨细的晶核是沉积态薄膜在后续获得良好结晶的先决条件，后处理薄膜内部的晶界散射、电离杂质散射和薄膜的外貌散射均获得较洪流平的抑制，从而促成高迁移率指标的实现。别的，通过将10nm厚度的ICO薄膜应用于硅异质结太阳电池中，获得了与使用古板厚度TCO的参考电池相当的光电转换效率，但电池正面铟（稀有金属）的消耗量减少了90%，标明了其关于可连续光伏及其他光电应用领域的巨大潜力。
▲图1 临界成核法（cns）与古板固相结晶法（spc）制备ICO薄膜性能比照
▲图2 ICO薄膜表征及理论盘算
图3 薄膜沉积主要离子能量漫衍及薄膜生长示意图
此项研究事情获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金委重点项目、深圳市科技重大专项、宜宾市科技计划，以及珠海市产学研相助及基础与应用基础研究等项目的支持。
未来，918博天堂将连续深化与高校及科研机构的相助，以技术立异为引擎，加速推动无铟透明导电氧化物薄膜技术在异质结、钙钛矿等高效电池中的应用，让科技之花结生工业之果，为全球绿色能源革命孝敬中国智慧。
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